第三代半导体原料拥有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速度及更高的抗辐射才华，于是更适合于创造高温、高频、抗辐射及大功率器件，平日又被称为宽禁带半导体原料（禁带宽度大于2.2ev），也称为高温半导体原料。第三代半导体原料紧要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表。

　　跟着5G、新能源汽车等商场生长，第三代半导体的需求领域维系高速伸长。同时，中美商业战的影响给国产第三代半导体原料带来了生长良机。2024年正在国内泰半导体物业伸长乏力的大后台下，我国第三代半导体物业实行逆势伸长。2024年，SiC、GaN电力电子产值领域抵达58亿元，同比伸长29.6%。GaN微波射频产值抵达69亿元，同比伸长13.5%。2020-2024年，中国第三代半导体专利申请数目处于当先名望；截至2024年12月16日，我国第三代半导体专利申请数目为1582件。

　　区域方面，我国第三代半导体初阶造成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大意点生长区域。从代表性企业分散境况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分散最多，如姑苏纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分散。从专利数目看，截至2024年12月16日，江苏省为中国此刻申请第三代半导体专利数目最多的省份，累计此刻第三代半导体专利申请数目高达2860项。北京、山东、广东、陕西和浙江此刻申请第三代半导体专利数目均抢先1000项。中国此刻申请省（市、自治区）第三代半导体专利数目排名前十的省份另有河南省、上海市、湖南省和安徽省。

　　2024年3月12日，《中华黎民共和国国民经济和社会生长第十四个五年计议和2024年前景方针纲目》全文正式揭橥。正在事闭国度太平和生长全部的根蒂主旨范围，《纲目》提到协议执行策略性科学安放和科学工程。个中，集成电道攻闭方面，《纲目》要点夸大饱动集成电道计划用具、中电配备和高纯靶材等要害原料研发、集成电道优秀工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电体例（MEMS）等特质工艺打破，优秀存储本领升级，碳化硅、氮化镓等矿禁带半导体生长。2024年6月，《长三角G60科创走廊筑立计划》提出正在要点范围培养一批拥有国际比赛力的龙头企业，加快结构量子讯息、类脑芯片、第三代半导体、基因编纂等一批将来企业。2024年1月4日，工业和讯息化部、住房和城乡筑立部、交通运输部、农业屯子部和国度能源局笼络印发《智能光伏物业更始生长行为安放（2025-2031年）》。安放格表指出要开采基于宽禁带原料及功率器件、芯片的逆变器。

　　我国第三代半导体本领和物业都博得较好发展，但正在原料目标、器件本能等方面与海表优秀秤谌仍存正在必定差异，商场延续被国际巨头吞没，国产化需求急切。我国第三代半导体更始生长的机遇曾经成熟，处于首要窗口期。

　　共研网揭橥的《2025-2031年中国第三代半导体行业全景考查与商场供需预测叙述》共十二章。开始先容了第三代半导体行业的总体概略及环球行业生长阵势，接着说明了中国第三代半导体行业生长情况、商场总体生长情形以及天下首要区域生长情形。然后折柳对第三代半导体物业的物业链相干行业、行业要点企业的筹划情形及行业项目案例投资举行了周详的透析。最终，叙述对第三代半导体行业举行了投资说明并对行业将来生长远景举行了科学的预测。

　　本探求叙述数据紧要来自于国度统计局、商务部、工信部、中国海闭总署、半导体行业协会、共研网、共研网商场考稽核心以及国表里要点刊物等渠道，数据巨擘、详确、雄厚，同时通过专业的说明预测模子，对行业主旨生长目标举行科学地预测。您或贵单元若念对第三代半导体物业有个人例深切的分解、或者念投资第三代半导体物业，本叙述将是您不成或缺的首要参考用具。

　　6.4.1 利用满堂本领门道 电网利用本领门道 电力牵引利用本领门道 电动汽车利用本领门道 家用电器和消费类电子利用