电源处理芯片（Power Management Integrated Circuits），是正在电子设置体例中担负起对电能的变换、分拨、检测及其他电能处理的职责的芯片。苛重肩负识别CPU供电幅值，发作相应的短矩波，促使后级电途举行功率输出

　　工采网代劳的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化行使供给一种双通道集成电机驱动计划。SS8812T有两途H桥驱动，每个H桥可供给较大输出电流1.6A (正在24V和Ta=25C适合散热条目下)，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载

　　幼型封装内置第4代SiC MOSFET，告竣业界超高功率密度，帮力xEV逆变器告竣幼型化！

　　环球出名半导体成立商ROHM（总部位于日本京城市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开荒出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产物（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　ROHM推出全新Power Stage IC：可取代Si MOSFET，器件体积裁汰99％

　　近年来，为了告竣可陆续繁荣的社会，对消费电子和工业设置的电源提出了更高的节能条件。针对这种需求，GaN HEMT动作一种相当有帮于提升功率转换出力和告竣器件幼型化的器件被寄予厚望。正在此靠山下，环球出名

　　安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

　　作家：安森美产物扩张工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 正在汽车商场站稳脚跟此后，电动汽车成立商继续正在探索更高功率的传动体例、更大的电池容量和更短的充电年光。为餍足客户需乞降拉长行驶里程，电动汽车成立商一向扩张车辆的电池容量

　　Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩幼60％

　　RDS（on）分表低浸40％，功率密度提升58倍，适合电信和热插拔估计安排行使奈梅亨，2023年3月22日：根源半导体器件界限的高产能临盆专家Nexperia今日揭晓推出首批80 V和100 V热插拔专用

　　英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

　　【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】改日电力电子体例的计划将陆续饱动，以告竣最高程度的机能和功率密度。为适应这一繁荣趋向，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推

　　Nexperia推出用于热插拔的全新特定型行使MOSFET （ASFET），SOA机能翻倍

　　全盘优化12V热插拔和软启动行使中限造浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：根源半导体器件界限的高产能临盆专家Nexperia这日揭晓扩展原来用于热插拔和软启动的ASFET产物组合，推出10款全盘优化的25V和30V器件

　　实用于热插拔的Nexperia新款特定行使MOSFET （ASFET）将SOA扩张了166％，并将PCB占用空间减幼80％

　　（企业供图）新推出的80 V和100 V器件最大限定低浸额定值，并改良均流，从而供给最佳机能、高牢靠性并低浸体例本钱奈梅亨，2021年8月4日：根源半导体器件界限的专家Nexperia今日揭晓推出新款

　　Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆临盆线启动，首批产物为行业当先的Qrr品格因数80 V／100 V MOSFET

　　再造产线提升了产能，力图餍足实时供应奈梅亨，2021年6月24日：根源半导体器件界限的专家Nexperia今日揭晓，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆临盆线启动，首批产物应用最新的NextPower芯片本领的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET

　　Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET帮力汽车和工业行使告竣更高功率密度

　　当先的SOA和雪崩个性提升了耐用性和牢靠性奈梅亨，2021年5月27日：根源半导体器件界限的专家Nexperia今日揭晓推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFET，该器件采用高可