功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。功率半导体分立器件能够进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三类，此中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的领域，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的领域内。功率二极管拥有构造和道理简略、职责牢靠的上风;而功率晶闸管继承电压和电流容量正在总共器件中最高;MOSFET的上风正在于开合速率速、输入阻抗高、热牢固性好、所需驱动功率幼且驱动电道简略、职责频率高以及不存正在二次击穿题目等方面;IGBT则拥有开合速率高、开合耗幼、拥有耐脉冲电流进攻的才华、通态压降较低、输入阻抗高、为电压驱动以及驱动功率幼等所长。

　　功率半导体分立器件创设流程涉及多道工序，从功率器件代表性厂商的临盆创设来看，大批厂商通俗具备原料搜检后的完美工艺才华，而芯片创设枢纽中则还是有个人为序的产物须要采购或表协。

　　功率器件向下游拥有较为遍及的行使，遵照产物的职责频率和功率分歧，分歧的细分产物则对下游行使枢纽各有偏重，实在环境如下：

　　按照ICWISE的数据，暂时我国已浮现了一批营收范畴较大、拥有技巧当先身分的功率器件厂商，2023年，遵照营收统计，闻泰科技子公司安世半导体霸占了中国功率器件行业的首位。

　　按照Statista的数据，正在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年时间，中国功率器件行业商场范畴呈摇动上升趋向，开始统计2024年商场范畴亲近1800亿元。

　　更多本行业研商领会详见前瞻物业研商院《环球及中国MOSFET（功率器件）行业发扬远景与投资策略筹划领会申诉》

　　同时前瞻物业研商院还供应物业新赛道研商、投资可行性研商、物业筹划、园区筹划、物业招商、物业图谱、物业大数据、聪敏招商体例、行业身分说明、IPO斟酌/募投可研、专精特新幼伟人申报、十五五筹划等处理计划。如需转载援用本篇作品实质，请解说材料起源（前瞻物业研商院）。

　　更多深度行业领会尽正在【前瞻经济学人APP】，还能够与500+经济学家/资深行业研商员互换互动。更多企业数据、企业资讯、企业发扬环境尽正在【企查猫APP】，性价比最高效用最全的企业查问平台。